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中國半導體器件型號命名方法

日期：2021-09-08 / 人氣： / 來源：

[概要說明]中國半導體器件型號命名方法
半導體器件型號由五部分(場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。五個部分的意義分別如下：
第一部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2：二極管;3：三極管。
第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。
表示二極管時：A：N型鍺材料;B：P型鍺材料;C：N型硅材料;D：P型硅材料。
表示三極管時：A：PNP型鍺材料;B：NPN型鍺材料; C：PNP型硅材料;D：NPN型硅材料。
第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的內型。
    P：普通管;
    V：微波管;
    W：穩壓管;
    C：參量管;
    Z：整流管;
    L：整流堆;
    S：隧道管;
    N：阻尼管;
    U：光電器件;
    K：開關管;
    X：低頻小功率管(f <3MHz,Pc<1W);
    G：高頻小功率管(f >3MHz,Pc<1W);
    D：低頻大功率管(f<3MHz,Pc>1W);
    A：高頻大功率管(f >3MHz,Pc>1W);
    T：半導體晶閘管(可控整流器);
    Y：體效應器件;
    B：雪崩管;
    J：階躍恢復管;
    CS：場效應管;
    BT：半導體特殊器件;
    FH：復合管;
    PIN：PIN型管;
    JG：激光器件。
第四部分：用數字表示序號。
第五部分：用漢語拼音字母表示規格號。例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管。
 

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